氣體放電方面論文參考文獻

所屬分類：論文常識閱讀次時間：2021-01-09 17:13

本文摘要：氣體放電，就是當(dāng)氣體原子或分子受到某種外界能量作用而形成荷電粒子(電子、正離子、負(fù)離子)，氣體變成導(dǎo)體，當(dāng)有電場存大時，帶電粒子便定向運動，產(chǎn)生了氣體放電現(xiàn)象，在物理實驗中也是常用到的，一些作者也會發(fā)表相關(guān)的論文，為此學(xué)術(shù)顧問在這里整理氣體

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　　氣體放電，就是當(dāng)氣體原子或分子受到某種外界能量作用而形成荷電粒子(電子、正離子、負(fù)離子)，氣體變成導(dǎo)體，當(dāng)有電場存大時，帶電粒子便定向運動，產(chǎn)生了氣體放電現(xiàn)象，在物理實驗中也是常用到的，一些作者也會發(fā)表相關(guān)的論文，為此學(xué)術(shù)顧問在這里整理氣體放電方面論文參考文獻，投稿人員可作為參考：

高電壓技術(shù)

　　參考文獻一、一種適用于環(huán)保型氣體絕緣試驗的小型氣體放電試驗裝置

　　摘要：以環(huán)保型C4F7N/CO2混合氣體為研究對象,從結(jié)構(gòu)強度、氣密性、操作性、可觀測性及裝置靈活移動性等方面,設(shè)計并搭建了一套適用于環(huán)保型絕緣氣體絕緣試驗的放電試驗裝置。結(jié)果表明該試驗裝置能夠充分滿足環(huán)保型絕緣氣體的放電試驗。

　　關(guān)鍵詞氣體放電絕緣試驗環(huán)保型氣體絕緣

　　參考文獻二、場致發(fā)射影響微間隙氣體放電形成的模擬

　　摘要當(dāng)間隙間距達到幾微米時,其擊穿電壓將與帕邢曲線顯著偏離。文中以間隙間距4μm為典型研究對象,基于網(wǎng)格質(zhì)點法耦合蒙特卡洛碰撞(PIC-MCC)建立這種微間隙氣體放電形成過程的仿真模型,并分析了考慮與不考慮場致電子發(fā)射對這種微間隙氣體放電形成過程的影響,獲得了放電形成過程中不同粒子數(shù)密度時空分布、不同粒子速度分布和電場分布等隨時間的變化,最后通過分析與討論得到了間隙間距在2~5μm左右范圍時,形成微間隙氣體放電過程的主要因素是陰極場致電子發(fā)射和隨后的離子增強場致電子發(fā)射;而當(dāng)間隙間距小于1μm時場致電子發(fā)射將會在形成微間隙氣體放電過程中起到主要作用。

　　關(guān)鍵詞場致發(fā)射等離子體微間隙氣體放電粒子數(shù)密度

　　參考文獻三、基于組合沖擊試驗的氣體放電管與TSS管通流、差壓變化研究

　　摘要依據(jù)氣體放電管與TSS配合使用原理,借助電力試驗研究院雷電流沖擊平臺,采用組合波發(fā)生器(8/20μs,1. 2/50μs)對氣體放電管和TSS的配合使用電路進行沖擊試驗。主要研究級間電阻對氣體放電管和TSS管通流、殘壓影響的變化趨勢,以及不同型號TSS管對氣體放電管和TSS管通流、殘壓的影響。研究得出:TSS管通流隨著級間阻值的增加而減小,而GDT通流與電阻無關(guān);同時得出不同型號TSS管對氣體放電管和TSS管通流沒有影響,且TSS管壓越大,TSS殘壓值越大,GDT的殘壓隨沖擊電壓總體呈逐漸上升趨勢。氣體放電管與配合使用電路中,沖擊電壓在超過盲區(qū)到1. 0 k V左右范圍中,配合電路發(fā)揮作用較大。

　　關(guān)鍵詞氣體放電管 TSS 能量配合沖擊試驗

　　以上就是氣體放電方向可參考的文獻，這方面文獻還有很多，作者要查詢相關(guān)文獻，也可以與該平臺學(xué)術(shù)顧問溝通，此外學(xué)術(shù)顧問也分享了一本接收氣體放電論文的刊物：

　　《高電壓技術(shù)》為國內(nèi)外唯一集中、全面地反映當(dāng)前高電壓技術(shù)領(lǐng)域科技信息的專業(yè)技術(shù)刊物，國內(nèi)外公開發(fā)行，是國務(wù)院學(xué)位辦審定的中文重要期刊、中文核心期刊，EI page one和《科技文獻通報》收錄期刊。本刊報道內(nèi)容包括高壓設(shè)備、輸電線路、系統(tǒng)暫態(tài)、測試工程、電磁、城網(wǎng)供電、電力電子等及生態(tài)環(huán)保生物醫(yī)療等邊緣、交叉學(xué)科。既有基礎(chǔ)理論研究也有工程實踐應(yīng)用。本刊讀者對象為電力系統(tǒng)生產(chǎn)、建設(shè)、運行、管理部門及相關(guān)產(chǎn)業(yè)科研、設(shè)計、制造單位的領(lǐng)導(dǎo)、科技人員、大專院校師生及其他相關(guān)工程技術(shù)人員。