集成電路應(yīng)用

所屬分類：建筑期刊; 時間：2017-09-09 16:02

《集成電路應(yīng)用》

期刊級別：國家級期刊

國內(nèi)統(tǒng)一刊號：31-1325/TN

國際標(biāo)準(zhǔn)刊號：1674-2583

周期：月刊

主辦單位：上海貝嶺股份有限公司

主管單位：上海貝嶺股份有限公司

發(fā)表支持服務(wù)相似期刊推薦

高端學(xué)術(shù)服務(wù)項(xiàng)目

　　集成電路應(yīng)用雜志簡介

　　《集成電路應(yīng)用》(月刊)創(chuàng)刊于1984年，雜志面向電子系統(tǒng)制造企業(yè)與方案設(shè)計公司，致力于滿足技術(shù)管理人員對新技術(shù)、新方案以及市場信息的需求。

　　《集成電路應(yīng)用》希望通過深入分析先進(jìn)的電子技術(shù)與創(chuàng)新設(shè)計理念，幫助讀者了解市場動向，把握產(chǎn)業(yè)發(fā)展趨勢，實(shí)現(xiàn)創(chuàng)新系統(tǒng)設(shè)計，為電子制造商制定企業(yè)發(fā)展戰(zhàn)略、產(chǎn)品定位和技術(shù)與供應(yīng)商選擇策略提供參考。本雜志是我國電爐行業(yè)唯一一份雜志，更名后內(nèi)容拓展到了工業(yè)爐窯、各種燃燒裝置及遠(yuǎn)紅外加熱。

　　集成電路應(yīng)用雜志欄目設(shè)置

　　電路原理與應(yīng)用、儀器儀表、通信音視、電路集錦

　　集成電路應(yīng)用雜志榮譽(yù)

　　萬方收錄(中)上海圖書館館藏國家圖書館館藏知網(wǎng)收錄(中)維普收錄(中)中國期刊全文數(shù)據(jù)庫(CJFD)中國核心期刊遴選數(shù)據(jù)庫

　　集成電路應(yīng)用雜志文稿要求

　　(一)基本要求來稿要求題材新穎、內(nèi)容真實(shí)、論點(diǎn)明確、層次清楚、數(shù)據(jù)可靠、文句通順。文章一般不超過5000字。投稿請寄1份打印稿，同時推薦大家通過電子郵件形式投稿。

　　(二)文題文題要準(zhǔn)確簡明地反映文章內(nèi)容，一般不宜超過20個字，作者姓名排在文題下。

　　(三)作者與單位文稿作者署名人數(shù)一般不超過5人，作者單位不超過3個。第一作者須附簡介，包括工作單位、地址、郵編、年齡、性別、民族、學(xué)歷、職稱、職務(wù);其它作者附作者單位、地址和郵編。

　　(四)摘要和關(guān)鍵詞所有論文均要求有中文摘要和關(guān)鍵詞，摘要用第三人稱撰寫，分目的、方法、結(jié)果及結(jié)論四部分，完整準(zhǔn)確概括文章的實(shí)質(zhì)性內(nèi)容，以150字左右為宜，關(guān)鍵詞一般3～6個。

　　(五)標(biāo)題層次一級標(biāo)題用“一、二、……”來標(biāo)識，二級標(biāo)題用“(一)、(二)、……”來標(biāo)識，三級標(biāo)題用“1.2.”來標(biāo)識，四級標(biāo)題用“(1)、(2)”來標(biāo)識。一般不宜超過4層。標(biāo)題行和每段正文首行均空二格。各級標(biāo)題末尾均不加標(biāo)點(diǎn)。

　　(六)計量單位、數(shù)字、符號文稿必須使用法定的計量單位符號。

　　(七)參考文獻(xiàn)限為作者親自閱讀、公開發(fā)表過的文獻(xiàn)，只選主要的列入，采用順序編碼制著錄，按其文中出現(xiàn)的先后順序用阿拉伯?dāng)?shù)字編號，列于文末，并依次將各編號外加方括號置于文中引用處的右上角。書寫格式為：作者.文題.刊名年份;年(期)：起始頁.網(wǎng)上參考材料序號.作者.文題網(wǎng)址(至子--欄目).上傳年月。

　　為保證本刊的權(quán)威性，杜絕任何形式的抄襲稿。稿件文責(zé)由作者自負(fù)，編輯部有權(quán)作必要的修改。文稿在3個月內(nèi)未收到退修或錄用通知，作者可自行處理，另投他刊。未被錄用的稿件一般不退稿，請自留底稿。

　　集成電路應(yīng)用雜志2017目錄

　　中國晶圓代工需求還將擴(kuò)增一倍趙海軍

　　市場分析

　　(6)圖形處理器(GPU)專利態(tài)勢研究萬雪佼;徐步陸

　　(9)華虹宏力榮獲國家金卡工程2017年度金螞蟻獎研究與設(shè)計

　　(10)一種新穎的低壓差線性穩(wěn)壓電路的頻率補(bǔ)償技術(shù)覃正才[1];龍環(huán)[2]

　　(16)一種基于BCD工藝的TFT-LCD行驅(qū)動電路的設(shè)計覃正才[1];文博[2]

　　工藝與制造

　　(21)LV/HV兼容CMOS芯片與制程結(jié)構(gòu)潘桂忠[1,2]

　　(26)屏蔽柵MOSFET中間氧化膜工藝優(yōu)化周穎;岳豐

　　(30)探究SAP在支撐芯片制造Zero Bank工藝中的應(yīng)用程萬